VU Boekhandel

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Hoofdkenmerken

Auteur:	Hao, Yue; Zhang, Jin Feng
Titel:	Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Uitgever:	Taylor & Francis Inc
ISBN:	9781498745123
ISBN boekversie:	9781315351834
Land van oorsprong:	United States
Prijs:	€ 277.50
Verschijningsdatum:	03-10-2016
Bericht:	Langere levertijd (2-3 weken)

Inhoudelijke kenmerken

Categorie:	Semi-conductors & super-conductors
Geillustreerd:	30 Tables, black and white; 469 Illustrations, black and white

Technische kenmerken

Verschijningsvorm:	Hardback
Paginas:	392
Hoogte mm.:	184
Breedte mm.:	262
Dikte mm.:	22
Gewicht gr.:	894

Inhoud:

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).