VU Boekhandel

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Hoofdkenmerken

Auteur:	Khanna, Vinod Kumar
Titel:	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Uitgever:	John Wiley & Sons Inc
ISBN:	9780471238454
ISBN boekversie:	9780471660996
Land van oorsprong:	United States
Prijs:	€ 239.01
Verschijningsdatum:	05-09-2003
Bericht:	Langere levertijd (2-3 weken)

Inhoudelijke kenmerken

Categorie:	Semi-conductors & super-conductors
Geillustreerd:	Photos: 125 B&W, 0 Color
Dewey code:	621.3815282

Technische kenmerken

Verschijningsvorm:	Hardback
Paginas:	648
Hoogte mm.:	244
Breedte mm.:	165
Dikte mm.:	44
Gewicht gr.:	1140

Inhoud:

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. * All-in-one resource* Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. * Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures. .