VU Boekhandel

SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors

Hoofdkenmerken

Auteur:	Yuan, J.S.
Titel:	SiGe, GaAs, and InP Heterojunction Bipolar Transistors
Uitgever:	John Wiley & Sons Inc
ISBN:	9780471197461
Serie:	Wiley Series in Microwave and
Land van oorsprong:	United States
Prijs:	€ 234.26
Verschijningsdatum:	29-03-1999
Bericht:	Leverbaar

Inhoudelijke kenmerken

Leesniveau:	Undergraduate
Categorie:	Semi-conductors & super-conductors
Dewey code:	621.3815282

Technische kenmerken

Verschijningsvorm:	Hardback
Paginas:	488
Hoogte mm.:	247
Breedte mm.:	168
Dikte mm.:	27
Gewicht gr.:	798

Inhoud:

An up-to-date, comprehensive guide to heterojunction bipolar transistor technology. Owing to their superior performance in microwave and millimeter-wave applications, heterojunction bipolar transistors (HBTs) have become a major force in mobile and wireless communications.